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元件参数资料
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参数目录43865
> STS26N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
型号:
STS26N3LLH6
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STS26N3LLH6 PDF
其它有关文件
STS26N3LLH6 View All Specifications
标准包装
1
系列
STripFET™ VI, DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.4 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4040pF @ 25V
功率 - 最大
2.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
剪切带 (CT)
其它名称
497-12348-1
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